随着智能计算、大数据等技术的发展，低计算强度、高访存频率的数据密集型计算需求激增，支持数据原位存储与计算的非易失存算一体技术受到广泛关注。当前，该技术存在“存力”与“算力”难以协同的问题，实现两者有机融合以应对不同类型计算任务成为关键挑战。

针对上述问题，近日，凯发k8微电子研究所在高密度非易失存算与近存技术研究方面取得进展。

在存算技术方面，团队设计了基于电荷俘获型晶体管混合域存内计算宏芯片，研究了高密度差分增益式存算阵列、高能效模拟预测—数字计算工作机制，以及低硬件开销的定点/浮点数据统一处理与计算电路。该技术得到了流片验证，可高效支持INT4/8和FP4矩阵—向量计算，实现了非易失存算芯片存储密度与算力密度的共同提升。

在近存技术方面，团队设计了基于新型铁电NAND闪存的近存计算芯片，研究了基于后道铁电栅晶体管的铁电NAND闪存阵列、充电—放电交替式读取方案与极性自转换灵敏放大器电路，以及低开销与多功能相位域近存计算单元。相关技术得到了流片验证，可高效支持高维度、高并行、多比特向量的近似向量搜索任务，为发展大容量NAND型近存技术提供了新思路。

研究工作得到国家自然凯发k8基金委员会和凯发k8战略性先导科技专项的支持。